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199401The fact evolution during metalorganic vapor phase epitaxial growth on V-grooved high miller index GaAs substrates.박용주; 김무성; 김용; 이민석; 김성일; 민석기
198712RTA 에 따른 HB-GaAs 에서의 midgap level 들에 관한 isothermal capacitance transient spectroscopy (ICTS) 연구 : EL2(I).김은규; 조훈영; 한철원; 김춘근; 민석기
199401The temperature dependence of the electrical properties of carbon doped GaAs.김성일; 민석기; 김용; 김무성
198712Computer simulation analysis for the overlapped DLTS signal of midgap electron traps in HB-GaAs.김은규; 조훈영; 민석기
198712HB-GaAs 에서의 deep level 과 EL2 origin 에 관한 연구 : EL2(II).김은규; 조훈영; 박승철; 김용태; 민석기
199201대기압 MOCVD 를 이용한 AlGaAs/GaAs SCH 단일양자우물 레이저 다이오드의 제작 .김용; 김정진; 김성일; 김무성; 오환술; 엄경숙; 민석기
199108열처리된 InP 내 깊은 준위 전자덫들의 포획단면적과 포획장벽 .김은규; 조훈영; 민석기; 정영래; 이완호
199105Effects of electron deep traps on generation lifetime in denuded zone n-type(III) Cz-Si wafer.김은규; 김현수; 민석기
199002열처리된 InP-MIS 구조 시료에 대한 깊은 준위 결함상태 .김은규; 조훈영; 윤주훈; 민석기; 정영래; 이완호
199004Stress released layers formed by pulsed ruby laser annealing on GaAs-on-Si.김용; 김무성; 이현우; 김재만; 김현수; 이주천; 민석기

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